姓名:刘艳
职务:
职称:讲师
导师类别:硕士生导师
出生年月:1985年
所属团队:新型半导体器件与电路团队
办公地点:下沙校区4教中101
联系方式:17816712085
个人经历 |
2012年09月-2017年06月 山东大学,博士
个人简介 |
近五年发表论文7篇,主持获批国家科学基金1项,浙江省自然科学基金1项。
研究方向 |
研究方向:GaN HFETs器件,宽禁带半导体光电器件,二维半导体器件
代表性成果 |
代表性成果 | |||
成果名称 (获奖、论文、专著、专利、项目来源与项目类别) | 获奖类别及等级,发表刊物、出版单位,专利类型及专利号、项目名称) | 时间、起讫时间 | 署名情况、到账经费 (万元) |
Comparison of ratio of gate length to gate-drain distance influences on source access resistance of AlGaN/AlN/GaN HFETs at different temperatures | Microelectronic Engineering vol 247 | 202106 | 1/5 |
Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors | Superlattices and Microstructures vol 120 | 201808 | 1/6 |
国家自然科学基金理论物理专项项目 | 凹槽栅增强型AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射机制变温研究 | 201901-201912 | 1/4 |
浙江省自然科学基金青年基金项目 | AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的温度依赖关系研究 | 201901-202112 | 1/5 |