姓名：陈展飞
职务：
职称：
导师类别：讲师
出生年月：1980年
所属团队：集成电路与系统团队
办公地点：下沙校区4教南708
联系方式：chenzf@hdu.edu.cn
| 个人经历 |
2016年09月- 2020年06月杭州电子科技大学，博士
2020年08月- 至今杭州电子科技大学，电子信息（微电子）学院，讲师
| 个人简介 |
杭州电子科技大学这都是。曾就职于中芯国际、华力微电子等半导体公司，在业内有超过10年的产业经验，近五年发表论文5篇。
| 研究方向 |
研究方向：硅基及化合物半导体器件模型、PDK以及智能化EDA工具
| 代表性成果 |
代表性成果 | |||
成果名称 （获奖、论文、专著、专利、项目来源与项目类别） | 获奖类别及等级，发表刊物、出版单位，专利类型及专利号、项目名称） | 时间、起讫时间 | 署名情况、到账经费 （万元） |
Surface-Potential-Based Compact Modeling of p-GaN Gate HEMTs | micromachines | 2021.4 | 通讯作者 |
A comparison of dynamic thermal characteristics of planar and Fin GaN HEMTs | MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS | 2020.9 | 第一作者 |
Surface-Potential-Based Compact Model for the Gate Current of p-GaN Gate HEMTs | IEEE Transactions on Electron Devices | 2020.8 | 通讯作者 |
Investigation of Geometry Dependence of Thermal Resistance and Capacitance in RF SOI MOSFETs | IEEE Transactions on Electron Devices | 2018.8 | 第一作者 |